真简明了解NVME固态硬盘参数之闪存类型

闪存类型分类2280规格NVME固态硬盘首先,闪存类型分SLC、MLC、TLC。不同的闪存类型除了大家常知道的读写寿命不同之外,其读写速度也有差异,比如,在单个存储单元上存储多个bit,将增加存储结构的复杂性(比如主控芯片寻址的复杂性),从而使读写速度降低。不同闪存类型对比为什么单个存储单元能存储更多bit,但寿命会更低呢?这很好理解,我们可以假设不论何种闪存类型,对于单个存储单元(即不考虑其单个存储单元能存储的bit数),其写入次数是有限的1000次。那么对于一个单元只存储1bit的SLC闪存类型而言,3bit数据其实是反复写入到3个存储单元的位置,所以可以写入1000次。而对于一个单元能够存储3bit的TLC闪存类型而言,我们给出分别独立的3个1bit的数据,写入到同一个存储单元(为什么能写入得下?因为一个TLC存储单元可写入3bit数据),每个独立的1bit数据一一对应写入到存储单元的3个bit位置,且在之后的重复写入操作时不再发生改变,那么这共计3bit的3个数据只能够写入1000/ 3次, 因为这一个TLC存储单元中每个bit的读写都占用了这一个存储单元总共的读写寿命。可以看到,上面两个例子,磁盘的总容量都可以假设成是3bit,但最终寿命是不同的。这就是SLC、MLC、TLC闪存类型读写寿命不一样的原因。小结当然,大家不要因为看到固态硬盘有限的读写寿命,使用固态硬盘时就忧心忡忡了, TLC闪存类型即便相较前两种闪存类型寿命较低,但目前民用主流的固态硬盘仍大多都使用TLC闪存类型,证明其已被市场认可。三星980Pro使用TLC颗粒抛开通过简单计算就可得到的使用寿命数字(寿命可以长到电脑配置都得淘汰)不提,固态硬盘在写入寿命已尽后,其数据能受到主控芯片的写入保护(即此时磁盘只能读取数据,不能写入数据),此时用户仍然能够读取并备份磁盘中的数据,不用担心数据因磁盘寿命已过而丢失。最后,我相信有些小伙伴就是想计算一下寿命到底能有多长,那么队长满足你。首先上前置条件1.把固态硬盘完整写入和擦除其容量大小的数据算作是一次P/E操作2.我们有一块256GB的固态硬盘3.我们是普通用户,每天使用电脑时能够写入25GB的数据4.此固态硬盘有3000P/E操作的寿命(算得上TLC的平均P/E次数,甚至保守了)下面来计算1.由每天写入25GB,那么可以得到一次P/E操作需要的天数= 256/2510天2.那么完成3000次P/E操作需要的天数= 3,000* 10= 30,000天3.转换成年数= 30,000/ 36582年所以你还会在意固态硬盘的读写寿命吗?我是夕阳红特工队队长,跟着队长一起涨知识。